SIC MOSFET驱动电路设计与应用
过渡金属氧化物(TMOs)是一类重要的赝电容材料,因其理论比电容高于碳基材料(5–15μF·cm–2 )约一至两个数量级,在超级电容器中有重要的应用前景。
在各国政府致力于节能减碳政策的推动之下,促使汽车工业与ICT科技进一步结合,预计将带动与车辆能源管理相关的模拟IC与分离式功率器件(Power Transistor)在单一车辆的搭载金额
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