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Nature子刊:相变驱动增强多级纳米结构钒氧化物的赝电容能量存储
过渡金属氧化物(TMOs)是一类重要的
赝电容材料
,因其理论比电容高于碳基材料(5–15μF·cm–2 )约一至两个数量级,在超级电容器中有重要的应用前景。
2018-04-24
赝电容材料
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